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提供一种使用可以降低绝缘膜的泄漏电流的金属硅酸盐膜等的半导体器件及其简单制造方法。提供一种半导体器件，其特征在于包括硅：硅基板（１０）；在硅基板（１０）上形成的含有硅、氧、氮和金属的栅绝缘膜（１２′），栅绝缘膜具有与硅基板（１０）连接的第一...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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