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半导体制造装置制造方法及图纸
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文档序号:3205511
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本发明涉及一种干蚀刻装置,包括箱体,用于形成等离子进行干蚀刻工序;下部电极,包含排出箱体内部反应气体的排气口,并且设置基片;上部电极,与下部电极隔开面对。而且,这种干蚀刻装置包括清洗部,清洗部与电源进行电连接,包括:清洗时为了形成包含清洗用...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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