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本发明提供半导体衬底上不发生滑移和缺陷，而可以形成浅ｐｎ结的半导体器件的制造方法。硅衬底上形成元件区域和元件隔离区域，元件区域上形成栅绝缘膜和栅电极。以栅电极为掩模，形成注入源漏杂质的源漏杂质区域。进行不让源漏杂质扩散，恢复源漏杂质区域晶体...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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