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一种半导体存储器件，包括：第一晶体管区，其被第一类型掺杂剂掺杂，以便具有多个第二类型晶体管；第二晶体管区，其被第二类型掺杂剂掺杂，以便具有多个第一类型晶体管；第一保护环区，其被第一和第二晶体管区之间的第一类型掺杂剂掺杂；以及第二保护环区，其...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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