温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

描述了场效应晶体管的应变的横向沟道、场效应晶体管以及ＣＭＯＳ电路的结构及形成方法，包含在单晶半导体衬底上形成的漏、本体和源区，其中在晶体管的源和本体之间形成异质结，其中源区和沟道相对于本体区独立地产生晶格应变。本发明减少了经由异质结来自源区...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。