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一种电子器件，包含具有沟槽的衬底，该沟槽具有下部和上部，沟槽的下部用固化的旋涂化合物填充，而上部用化学气相沉积的化合物填充。优选地，化学气相沉积化合物具有与衬底表面基本共面的表面。制备这样的器件的特别优选的方法包括以下步骤：其中在衬底中形成...
该专利属于霍尼韦尔国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过霍尼韦尔国际公司授权不得商用。

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