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一种ＳｉＣ制的横向ＪＦＥＴ，它使用ｎ型ＳｉＣ衬底，包括具有迁移率高的载流子的沟道区，成品率高。该横向ＪＦＥＴ包括：ｎ型ＳｉＣ衬底（１ｎ）；ｐ型ＳｉＣ膜（２），被形成在ｎ型ＳｉＣ衬底的正面上；ｎ型ＳｉＣ膜（３），被形成在ｐ型ＳｉＣ膜上，包含沟...
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