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本发明涉及一种具有改善刷新时间的半导体装置的制造方法。该方法包含下列步骤：在基板上形成若干闸极线；通过使用闸极线当作遮罩，离子植入第一掺杂物，形成若干原胞接面；沿着闸极线的纵断面，形成缓冲层；通过在有缓冲层的情形下，离子植入第二掺杂物进入基...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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