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一种新型双极光晶体管，其特征在于：　　　　制作该器件的半导体材料为高纯区熔硅单晶片，每个器件由二个ｐｎ结组成，所述二个ｐｎ结之间夹一导电层，称为基区；所述二个ｐｎ结外的导电层分别称为发射区和集电区；基区与发射区、集电区交界处形成发射结和集电...
该专利属于北京师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京师范大学授权不得商用。

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