【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体光电探测器及其探测方法，属于H01L 27/00类半导体器件双极晶体管的结构如果适合用来探测光并被用作光电探测器时，称为双极光晶体管(Bipolar Phototransistor)。其工作原理参阅文献Naresh Ghand，etal.，“Gain of a Heterojunction Bipolar Phototransistor”，IEEETransactions on Electron Devices，Vol.ED-32，pp.622-627，1985。双极光晶体管由于本身有内部增益，一直受到人们的极大关注，得到了广泛应用。例如，双极光晶体管可以用于光纤通讯中的前端接收(参阅Kamistuna，H.，etal.，“Ultrahigh-speed InP/InGaAs DHPTs for OEMMICs”，IEEE Transactionson Microwave Theory and Techniques，Vol.49，pp.1921-5，2001)，医学中的X光探测(参阅Abdallah，et al.，“A scintil...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种新型双极光晶体管，其特征在于制作该器件的半导体材料为高纯区熔硅单晶片，每个器件由二个pn结组成，所述二个pn结之间夹一导电层，称为基区；所述二个pn结外的导电层分别称为发射区和集电区；基区与发射区、集电区交界处形成发射结和集电结；发射区外侧制有称为发射极的电极、集电区的外侧制有称为集电极的电极，基区外侧可以有称为基极的电极也可以无电极。2.如权利要求1所述的新型双极光晶体管，其特征在于所述区熔硅单晶片电阻率高(例如，电阻率在10-10万欧姆厘米)，厚度为100微米-5毫米。3.如权利要求1所述的新型双极光晶体管，其特征在于该器件具有n-p-n基本结构。4.如权利要求1所述的新型双极光晶体管，其特征在于该器件具有p-n-p基本结构。5.如权利要求1所述的新型双极光晶体管，其特征在于所述区熔硅单晶片是<100>、<110>或<111>晶向。6.如权利要求1所述的新型双极光晶体管，其特征在于所述区熔硅单晶片为单面或双面抛光片。7.如权利要求1所述的新型双极光晶体管，其特征在于所述区熔硅单晶片背面有一外吸杂层...
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