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使用IR和/或NIR辐射干燥有机半导体层、导体层或滤色器层的方法技术
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下载使用IR和/或NIR辐射干燥有机半导体层、导体层或滤色器层的方法的技术资料
文档序号:3204839
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本发明涉及一种用于干燥和/或随后处理薄层的方法,所述薄层含有有机半导体、有机导体或有机滤色器。所述方法用于有机发光二极管(PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机太阳能电池(O-S...
该专利属于科文有机半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过科文有机半导体有限公司授权不得商用。
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