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本发明是相关于产生具有低电阻的含金属层的方法，在该方法中，首先，具有一第一粒径尺寸的一含金属层（５’）是加以形成至一再结晶厚度（ｄ１），然后，一再结晶是在此再结晶厚度（ｄ１）加以执行，以产生具有一较大粒径尺寸的含金属层（５”），最后，具有该...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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