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本发明为一种以１，２，３，４，８，９，１０，１１－八取代并五苯衍生物作为有机半导体材料的有机场效应晶体管（以下简称ＯＦＥＴ）及其制备方法。ＯＦＥＴ结构有ＴＯＰ型和Ｂｏｔｔｏｍ两种，并五苯衍生物的取代基为卤素（Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－、Ｉ－）。有...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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