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本发明涉及半导体集成电路以及信号发送接收系统。内置在信号发送用或接收用的半导体集成电路中的终端电阻，由频率特性良好的多晶硅电阻元件（１）与Ｐ型ＭＯＳ晶体管（２）的并联电路构成。多晶硅电阻元件（１）的电阻值设定为与连接的传送路的特性阻抗基本一...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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