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提供半导体器件及其制造方法，半导体器件包括栅极互连２４ａ，形成在半导体衬底１４上，并包括栅极，栅极互连与半导体衬底间形成栅极绝缘膜２２；靠近栅极互连２４ａ端部形成的第一源极／漏极扩散层２８；远离栅极互连２４ａ及第一源极／漏极扩散层２８形成的...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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