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一种镶嵌式闸极制程，其步骤包括：　　　　提供一依序形成有一垫层以及一蚀刻停止层的半导体基底；　　　　形成一绝缘层覆盖该垫层以及该蚀刻停止层；　　　　移除部分的该绝缘层、该蚀刻停止层以及该垫层形成一开口；　　　　在该开口两侧壁形成保护间隙壁，...
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