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本发明涉及基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及制备方法。特征在于以单晶锗硅薄膜取代传统的材料中的顶层单晶硅薄膜，形成以单晶锗硅薄膜为顶层半导体膜的更广义的新型衬底材料。制备方法是首先向单晶硅片中注入氧离子，然后在注氧硅片上生长Ｇｅ或ＳｉＧｅ...该专利属于上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;狄增峰;安正华;张苗;林成鲁所有，仅供学习研究参考，未经过上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;狄增峰;安正华;张苗;林成鲁授权不得商用。