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在晶体管中设置：设置了具有相向的一对侧面（１３ｂ、１３ｂ）的凸部１３ａ的ｐ型半导体衬底（１２）、栅绝缘膜（１５ｃ）、一对的ｎ型源－漏区（ＢＬ１、ＢＬ２）、隧道绝缘膜（１５ａ）、一对浮置栅（ＦＧ１、ＦＧ２）、内部多晶绝缘膜和控制栅（ＣＧ）。使...
该专利属于伊诺太科株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过伊诺太科株式会社授权不得商用。

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