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半导体器件及制造方法、生成器件用图形的方法和装置制造方法及图纸
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文档序号:3204606
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本发明的目的是有效地吸收电源噪声并实现电路的稳定工作。本发明提供了一种半导体器件,包括:包括MOS结构的旁路电容,具有一栅极电极,该栅极电极被形成为从电源线区延伸到在邻接电源线区并不具有其它功能层的空区下设置的部分并经由电容绝缘膜形成于具有...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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