温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及制备相变存储器（ＰＲＡＭ）所用的相变材料电性能表征的方法，其特征为：通过探针与Ｗ／ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ衬底上相变材料构成存储单元，相变区域首先发生在针尖与相变材料的接触部位，可逆相变区域（纵向与横向尺度）大小与针尖面积、施加在针尖...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。