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本发明提供一种高速三维互补金属氧化物半导体晶体管（ＣＭＯＳ）的结构及其制备方法，其特征在于ｐＭＯＳ制备在大面积高质量单晶硅（１１０）面上，ｎＭＯＳ制备在大面积高质量单晶硅（１００）面上，且ｐＭＯＳ和ｎＭＯＳ分开在不同层上。其制作方法是在（１...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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