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本发明提供具备即使在缩短了栅长的情况下也能确保大的电容可变范围的可变电抗器的可变电抗器.ＣＭＯＳ器件混合装载的半导体器件及其制造方法。半导体器件具有可变电抗器区（Ｖａ）和晶体管区（Ｔｒ）。在可变电抗器用的有效区中，在Ｎ阱区（１２）中形成了掺...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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