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本发明提供一种含有位于同一个ＳＯＩ衬底上的平面单栅极ＦＥＴ和ＦｉｎＦＥＴ的集成半导体电路。具体地，该集成半导体电路包括位于绝缘体上硅衬底的埋置绝缘层顶上的ＦｉｎＦＥＴ和平面单栅极ＦＥＴ，平面单栅极ＦＥＴ位于绝缘体上硅衬底的构图的顶部半导体层...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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