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一种氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法，其步骤包括：　　　　１）采用金属有机化合物气相沉积方法在带有陪片的石墨舟上生长一层ＡｌＧａＮ薄膜；　　　　２）置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；　　　　３）按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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