温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种介层洞优先（ｖｉａ－ｆｉｒｓｔ）双镶嵌制程，包含有下列步骤：　　　　提供一半导体基底，其上形成有一导电结构（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）以及一介电层设于该半导体基底上，其中该介电层包含有一介层洞开孔（ｖｉａ　　ｏｐｅｎｉ...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。