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一种内联机结构，是在介电层中形成一开口，再以原子层沉积法（ＡＬＤ）在开口侧壁与底部上形成扩散阻障层与低阻值金属层作为复合式扩散阻障层，以阻隔后续形成的铜导线扩散并增进其附着力。较佳的复合式扩散阻障层为以原子层沉积法形成的双层式ＴｉＮ、双层式...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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