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这些方法和装置是在综合处理系统中为等离子搀杂和离子注入准备的。装置包括处理室、用来产生离子束并且将离子束引进处理室的射束线离子注入组件、包括可进入处理室的等离子搀杂室的等离子搀杂组件和晶片定位器。该定位器在射束线注入模式中将半导体晶片放置在...
该专利属于瓦里安半导体设备联合公司所有，仅供学习研究参考，未经过瓦里安半导体设备联合公司授权不得商用。

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