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蓄积型ＭＩＳＦＥＴ具备：在上述ＳｉＣ衬底（１０１）上以外延方式生长的高电阻ＳｉＣ层（１０２）；阱区（１０３）；具有在阱区（１０３）的表面区域上形成的多重δ掺杂层的ｎ型蓄积沟道层（１０４）；接触区（１０５）；栅绝缘膜（１０８）；以及栅电极（１...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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