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大计量离子注入法制备磁体／半导体混杂结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　选择半导体材料为衬底；　　　　在半导体衬底中直接进行大计量离子注入；　　　　退火，使得磁性团族均匀分布于衬底中。...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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