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制作沟渠电容浅沟绝缘的方法技术
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文档序号:3204267
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一种沟渠电容浅沟绝缘的制作方法,包含有: 提供一半导体基底,其上具有一硬掩膜,其中该半导体基底表面区分为逻辑区域(logic area)以及存储数组区域(memory array area),该存储数组区域内已制作有多个深沟渠电...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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