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一种非易失性半导体存储器件，包括：第一位单元，第一位单元包括第一ＭＯＳ晶体管和第二ＭＯＳ晶体管，第一ＭＯＳ晶体管的源极和漏极连接以形成第一控制栅，第二ＭＯＳ晶体管具有与第一ＭＯＳ晶体管公共的浮栅；第二位单元，第二位单元包括第三ＭＯＳ晶体管和...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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