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一种在掩膜式只读存储器制造工艺中进行信号注入的方法，包括如下两个步骤：　　　　（ａ）在有待进行信号注入的基片上制备掩膜；　　　　（ｂ）利用所述掩膜进行信号注入，　　　　其特征在于，步骤（ａ）中所述的掩膜由硬质材料构成。...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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