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一种小型电阻系利用与形成一ＤＲＡＭ单元之一沟渠电容器所使用之步骤相同的许多步骤而加以形成于一集成电路之中，特别是在掺杂该基板以形成该电容器之底部平板的步骤之后，于该沟渠内部沉积一重掺杂之锗层，再于该沟渠中沉积具有所需电阻率之多晶硅，然后，移...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司授权不得商用。

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