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本发明揭示一种适合应用于一静电放电防护电路的半导体装置，该装置包括一半导体基板、形成于该基板内的一第一井、形成于该基板内的一第二井以及形成于该第二井内的一第一掺杂区域，其中该第一井、该第二井以及该第一掺杂区域共同形成一寄生双极接面晶体管（ｂ...
该专利属于宇东科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宇东科技股份有限公司授权不得商用。

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