温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于微电子技术领域，具体为一种采用标准ＣＭＯＳ工艺设计多ＰＮ结衬底隔离片上电感的方法。包括：单阱工艺中在阱上注入与阱离子极性相反的杂质，对于深阱工艺，在深阱上形成与该深阱离子相反类型的阱，形成与硅片垂直方向的双ＰＮ结；在此基础上，在其...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。