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一种形成半导体的方法，该半导体具有ｎ－沟道晶体管（１２）和ｐ－沟道晶体管（１４）且具有对于各不同类型晶体管的最佳栅极至漏极交迭电容，该方法对于各个晶体管（１２、１４）在栅极（１６）上使用差别隔离层。第一偏移隔离层（１８）在栅极（１６）上形成...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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