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本发明公开了一种体硅集成ＭＥＭＳ技术中超深隔离槽开口形状的控制方法及产品，其技术方案为：首先在硅片表面淀积多晶硅作为牺牲层，再进行深槽刻蚀，刻蚀后将多晶硅牺牲层去掉。（１）在硅片表面形成ＳｉＯ↓［２］牺牲层；（２）光刻定义槽图形，ＢＯＥ腐蚀...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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