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在半导体器件中，多个第一导电型第一扩散区域形成于第一导电型扩散层阱上。多个第二导电型第二扩散区域形成于第一导电型扩散层阱上。多个第一和第二扩散区域中的每一个的杂质浓度最好要高于扩散层阱的杂质浓度。多个第一扩散区域作为阳极连接到第一共用节点，...
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