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本发明提供半导体装置及其制造方法，当例如用铜或铜合金作为形成配线层的导体膜进行多层配线化时，能够进一步提高这些配线的可靠性。具有埋设在槽沟（３ａ）中的导体膜（５），是在其上面在与阻挡层金属膜（４）接触的部分，与第二层间绝缘膜（３）的上面比较...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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