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本发明提供一种半导体集成电路器件，包括：半导体衬底主表面的第一区上的第一ＭＩＳＦＥＴ；和半导体衬底主表面的第二区上的第二ＭＩＳＦＥＴ，其中所述第一ＭＩＳＦＥＴ的栅绝缘膜包括相对介电常数高于氮化硅相对介电常数的第一绝缘膜，其中第二ＭＩＳＦＥＴ...
该专利属于株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所授权不得商用。

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