温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种制造半导体器件中的电容器的方法。该方法包括下述步骤：提供一个具有存储节点插塞的衬底；在衬底上形成一个ＰＥ－ＴＥＯＳ层和一个显露出存储节点接触区域的硬掩模；通过对ＰＥ－ＴＥＯＳ层进行蚀刻而形成一个存储节点接触部，该存储节点接触...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。