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本发明提供了一种调节半导体器件中载流子迁移率的方法和装置。在制造互补型金属－氧化物－半导体（ＣＭＯＳ）场效应晶体管（包括ｎＦＥＴ和ｐＦＥＴ）时，通过使栅极材料和金属反应在晶体管栅极内产生应力合金（最好是ＣｏＳｉ↓［２］、ＮｉＳｉ、或ＰｄＳｉ...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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