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一种具有扩散阻障层的栅极的制作方法，其特征在于，包括：　　　　提供一个内部形成有数个隔离区域的半导体基底；　　　　在所述半导体基底上依序形成一个栅氧化层、一个多晶硅层、及一个硅化钨金属层；　　　　以硅离子对所述半导体基底进行离子注入，形成一...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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