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本发明属集成电路制造工艺技术领域。为了优化硅化物模块工艺，在栅极和源漏极区域生长不同厚度硅化物，在源漏区域的硅化物厚度较薄以满足结漏电的要求，在栅极区域的硅化物厚度较厚以满足低电阻的要求。为此需要用介质膜在生长某一种厚度硅化物的同时覆盖住需...该专利属于上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。