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一种半导体装置的制造方法，当作为势垒金属层使Ｔｉ与硅衬底表面设置的硼扩散区域时，具有硼被钛硅化物吸收，接触电阻降低的问题。虽然也有追加注入被钛硅化物吸收的量的方法，但是，在以例如ｐ沟道型向源极区域的硼中进行追加注入时，在扩散工序中，追加的量...
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