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该抛光流体适用于抛光半导体衬底的含钽阻挡层材料。该抛光流体包含具有至少两个氮原子的含氮化合物并且该含氮化合物包括亚胺化合物和肼化合物。该含氮化合物不含吸电子取代基；而且该抛光流体能够从半导体衬底的表面除去含钽的阻挡层材料而无需研磨剂。...
该专利属于CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司所有，仅供学习研究参考，未经过CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司授权不得商用。

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