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本申请涉及一种碳化硅半导体器件及制备方法，在槽栅介质层的两侧分别设置两个重掺杂第二导电类型的多晶硅沟槽区。由于碳化硅和多晶硅的能带结构，多晶硅沟槽区减少了屏蔽区的耗尽区面积。耗尽区面积的降低既能降低保护槽栅介质拐角处的电场强度，又能较少地阻...
该专利属于松山湖材料实验室所有，仅供学习研究参考，未经过松山湖材料实验室授权不得商用。

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