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高集成中央双向肖特基结型单管反相器及其制造方法，属于集成电路设计和制造技术领域，涉及一种适用于高集成、高性能的具有中央肖特基结结构特征和由单个晶体管所组成；只需要一个晶体管即可实现反相器的基本功能，在同等工艺尺寸下，进一步提升了反相器的集成...
该专利属于沈阳工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳工业大学授权不得商用。

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