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本发明的半导体装置，包括半导体层（１０～１５），在上述半导体层上设置的栅极绝缘膜（１６），在上述栅极绝缘膜上设置的栅极电极（１７），上述半导体层中从俯视来看在上述栅极电极的两侧设置的第一导电型的源极区域（２０ａ）和漏极区域（２０ｂ），上述半...
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