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本发明公开了一种用于单晶硅晶圆的激光辅助抛光方法，属于激光辅助加工技术领域。通过超快激光对单晶硅机械研磨片进行交叉扫描处理，实现了单晶硅研磨片表面粗糙度的降低，同时，使辐照后的硅片在化学机械抛光加工中的效率大幅提高，材料去除率可达未处理硅片...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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